Оперативная память Samsung Оперативная память Samsung M471B5773DH0-CH9 DDRIII 2Gb

Оперативная память Samsung Оперативная память Samsung M471B5773DH0-CH9 DDRIII 2Gb 354500₽
  • тип памяти: DDR3
  • форм-фактор: SODIMM 204-контактный
  • тактовая частота: 1333 МГц
  • пропускная способность: 10600 МБ/с
  • объем: 1 модуль 2 ГБ
Все характеристики
Все предложения

Характеристики

тип памяти
DDR3
форм-фактор
SODIMM 204-контактный
тактовая частота
1333 МГц
пропускная способность
10600 МБ/с
объем
1 модуль 2 ГБ
поддержка ecc
нет
поддержка xmp
нет
буферизованная (registered)
нет
низкопрофильная (low profile)
нет
cas latency (cl)
9
ras to cas delay (trcd)
9
row precharge delay (trp)
9
напряжение питания
1.5 В
количество ранков
1

Оставить отзыв о товаре

Общая оценка

Добавьте фото

Похожие товары

Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
4 241
Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
3 876
Patriot Signature Patriot Signature
3 420
Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
3 739
Patriot Signature Patriot Signature
3 192
Patriot Viper 4 Steel Patriot Viper 4 Steel
5 107
Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
6 931
Patriot Viper 4 Steel Patriot Viper 4 Steel
2 736
Patriot Signature Line Premium Patriot Signature Line Premium
6 749
Patriot Signature Line Premium Patriot Signature Line Premium
7 114

Модули памяти Samsung

Оперативная память для ноутбука SODIMM DDR3L 8ГБ Samsung M471B1G73DB0-YK0 1600MHz (PC3L-12800), 1.35V, 204-Pin, Retail Оперативная память для ноутбука SODIMM DDR3L 8ГБ Samsung M471B1G73DB0-YK0 160...
6 416
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73EB0-YK0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73EB0-YK0
5 120
Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A4G43AB1-CWEDY Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A4G43AB1-CWEDY
67 809
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL19 M471A2K43DB1-CWE Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL19 M471A2K43DB1-CWE
19 380
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL17 M471A5244CB0-CWED Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL17 M471A5244CB0-CWED
4 499
Оперативная память Samsung H-ONE 32 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M378A4G43AB2-CWED0 Оперативная память Samsung H-ONE 32 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M378A4G43AB2-C...
29 459
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A2K43EB1-CWED0 Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A2K43EB1-CWED0
16 648
Оперативная память Samsung DDR4 2133 МГц SODIMM CL15 Оперативная память Samsung DDR4 2133 МГц SODIMM CL15
14 197
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 M471A2K43BB1-CRC Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 M471A2K43BB1-CRC
16 000
Модуль памяти Samsung SODIMM DDR3, 8ГБ, 1333МГц, PC3-10600, CL9 9-9-9-24 Модуль памяти Samsung SODIMM DDR3, 8ГБ, 1333МГц, PC3-10600, CL9 9-9-9-24
6 416
Модуль памяти Samsung SODIMM DDR4, 8ГБ, 2666МГц, 260-pin, PC4-21300, CL19 19-19-19-43 Модуль памяти Samsung SODIMM DDR4, 8ГБ, 2666МГц, 260-pin, PC4-21300, CL19 19-...
14 197
Модуль памяти Samsung DIMM DDR4, 16ГБ, 2400МГц, PC4-19200, CL17 17-17-17-39 Модуль памяти Samsung DIMM DDR4, 16ГБ, 2400МГц, PC4-19200, CL17 17-17-17-39
27 692
Оперативная память Samsung DDR5 32GB SO-DIMM 4800MHz (M425R4GA3BB0-CQK) 1 year, OEM (M425R4GA3BB0-CQK) Оперативная память Samsung DDR5 32GB SO-DIMM 4800MHz (M425R4GA3BB0-CQK) 1 yea...
47 988
Оперативная память SO-DIMM Samsung DDR5 8GB 5600MHz PC5-44800 1.1 V (M425R1GB4BB0-CWM) Оперативная память SO-DIMM Samsung DDR5 8GB 5600MHz PC5-44800 1.1 V (M425R1GB...
13 100
Модуль памяти Samsung DDR2 4GB 2Rx4 PC2-6400U-666-12-E3 (для AMD) Модуль памяти Samsung DDR2 4GB 2Rx4 PC2-6400U-666-12-E3 (для AMD)
3 537

Избранное0