Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73BH0-YK0

Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73BH0-YK0 457000₽
  • производитель: Samsung
  • тип: DDR3L
  • объем одного модуля: 8 ГБ
  • тактовая частота: 1600 МГц
  • форм-фактор: SODIMM
Все характеристики

4 570

Характеристики

производитель
Samsung
тип
DDR3L
объем одного модуля
8 ГБ
тактовая частота
1600 МГц
форм-фактор
SODIMM
количество модулей в комплекте
1 шт.
cl
11
особенности
Unregistered
пропускная способность
PC12800
trcd
11
trp
11
tras
35
количество чипов каждого модуля
16
напряжение питания
1.35 В
количество рангов
2
количество контактов
204
упаковка чипов
двусторонняя

Оставить отзыв о товаре

Общая оценка

Добавьте фото

Похожие товары

Infortrend Infortrend
8 254
Kingston HyperX Fury White Kingston HyperX Fury White
9 986
Patriot Viper 4 Steel Patriot Viper 4 Steel
3 329
Patriot Signature Line Patriot Signature Line
3 192
Patriot Signature Line Patriot Signature Line
3 010
Patriot Viper Steel Patriot Viper Steel
3 420
Patriot Viper Steel Patriot Viper Steel
3 010
Patriot Viper 4 Blackout Patriot Viper 4 Blackout
3 238
Patriot Viper Steel Patriot Viper Steel
4 651
Crucial Crucial
8 071

Модули памяти Samsung

Оперативная память Samsung 64 ГБ DDR4 2400 МГц LRDIMM CL17 M386A8K40BM1-CRC Оперативная память Samsung 64 ГБ DDR4 2400 МГц LRDIMM CL17 M386A8K40BM1-CRC
100 448
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73EB0-YK0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73EB0-YK0
5 120
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 M393B2G70DB0-YK0 Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 M393B2G70DB0-YK0
18 245
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR3L 1600 МГц RDIMM CL11 M393B2G70BH0-YK0 Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR3L 1600 МГц RDIMM CL11 M393B2G70BH0-YK0
12 180
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL19 M471A2K43DB1-CWE Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL19 M471A2K43DB1-CWE
20 970
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1K43EB1-CWED0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1K43EB1-CWED0
9 900
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL19 M378A1G44AB0-CWED0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL19 M378A1G44AB0-CWED0
10 725
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1333 МГц SODIMM CL9 M471B5273CH0-CH9 Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1333 МГц SODIMM CL9 M471B5273CH0-CH9
3 100
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B5273EB0-CK0 Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B5273EB0-CK0
2 841
Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M393A4K40EB3-CWECO Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M393A4K40EB3-CWECO
55 100
Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 M393A4K40CB2-CTD8Q Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 M393A4K40CB2-CTD8Q
40 400
Оперативная память Samsung 4 ГБ PC3L (DDR3L) 1600 МГц SODIMM 1,35v Оперативная память Samsung 4 ГБ PC3L (DDR3L) 1600 МГц SODIMM 1,35v
3 600
Оперативная память Samsung DDR3 DIMM CL13 M393B2G70DB0-CMAQ2M Оперативная память Samsung DDR3 DIMM CL13 M393B2G70DB0-CMAQ2M
18 980
Оперативная память Samsung DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1G44BB0-CWE Оперативная память Samsung DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1G44BB0-CWE
11 241
Модуль памяти Samsung DDR2 4GB 2Rx4 PC2-6400U-666-12-E3 (для AMD) Модуль памяти Samsung DDR2 4GB 2Rx4 PC2-6400U-666-12-E3 (для AMD)
3 520

Избранное0